Unipolárne tranzistory čo treba vedieť -Unipolárny tranzistor

Unipolárne tranzistory čo treba vedieť – Unipolárny tranzistor Unipolárne tranzistory Unipolárny tranzistor :

Unipolárny tranzistor

je tranzistor využívajúci efekt poľa na zosilňovanie elektrických signálov.

Tranzistory riadené elektrickým poľom sú moderné aktívne polovodičové prvky, pri ktorých sa ovláda prúd vo vodivom kanály polovodiča pomocou riadiaceho elektrického poľa na izolovanej elektróde. Riadiaci prúd je pritom nulový.

Na rozdiel od bipolárnych tranzistorov sa v tranzistoroch ovládaných elektrickým poľom ovláda kolektorový prúd pomocou napätia medzi riadiacou elektródou a emitorom. Prenos prúdu sa vykonáva jedným druhom nosičov náboja.

– využívajú elektrostatické pole na ovládanie prúdu prechádzajúceho polovodičovou platničkou a vedenia prúdu sa zúčastňujú nosiče náboja len jednej polarity. Takto pracujúce tranzistory boli nazvané ako tranzistory ovládané elektrostatickým poľom, resp. Field-Effect-Tranzistor = FET.

Rozdelenie

-Priechodový tranzistor riadený poľom: (skr. JFET alebo NIG FET, kde J=junction, NIG = non-insulated gate):

-Tranzistor riadený poľom s priechodom p-n: (Tranzistor ovládaný elektrickým poľom s hradlom oddeleným priechodom p-n, poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným priechodom p-n, skr. PPN FET, resp. JFET v užšom zmysle alebo FET v užšom zmysle) Tieto tranzistory majú medzi hradlom a kanálom vytvorený priechod p-n, ktorý sa prevádzkuje polarizáciou v závernom smere.

-Tranzistor riadený poľom s izolovaným hradlom: (skr. IG FET, kde IG = insulated gate):

-Tranzistor riadený poľom s hradlovou dielektrickou vrstvou: (=tranzistor ovládaný elektrickým poľom s hradlom oddeleným izolantom, poľom riadený tranzistor s hradlom izolovaným dielektrickou vrstvou, skr. MISFET, kde M=metal, I=insulator, S=semiconductor): Tranzistory tohto typu majú medzi hradlom a kanálom vytvorenú vrstvičku dielektrika.

Tiež by vás mohlo zaujímať : Bipolárne tranzistory

Unipolárne tranzistory – Delia sa na:

MOSFET (kde O=oxid) : t.j. s hradlom izolovaným oxidovou vrstvou)

MNSFET (kde N=nitride) : t.j. s hradlom izolovaným nitridovou vrstvou)

ISFET

ENFET

OFET

CNFET

Výhody a nevýhody

Výhody FET tranzistorov

• Vstupný odpor je 1010 – 1015 Ω, vstupná kapacita 2 pF.
• Z hľadiska výrobnej realizácie si vyžadujú podstatne menší počet výrobných operácií. Zatiaľ čo realizácia bipolárneho obvodu TTL si vyžaduje 140 výrobných operácií, je pre realizáciu podobného obvodu s FET-tranzistormi potrebné len 40 výrobných operácií.
• Výstupný obvod je dokonale oddelený od vstupného obvodu.
• FET – tranzistory vykazujú v nízkofrekvenčných i vysokofrekvenčných zosilňovačoch veľmi malý vlastný šum.
• FET – tranzistory vykazujú malé nelineárne skreslenie.
• FET – tranzistory vykazujú veľmi dobré spínacie vlastnosti.
• Výkonové FET – tranzistory stále častejšie nahradzujú bipolárne tranzistory pre obvodovú jednoduchosť a lepšie vlastnosti.

Nevýhody FET tranzistorov

• Veľký rozptyl prahového napätia UT až niekoľko
• Riziko poškodenia vstupu u IGFET-ov.
• Klasické FET tranzistory majú nižšiu hornú medznú frekvenciu ako bipolárne tranzistory. Tento nedostatok odstraňujú moderné typy FET-o.

Schematické značky